快實施創新驅動發展戰略,無論是教育、研發還

鎵(GaN等也是當前LED芯片研究的焦點。目前，市面上大多采用藍寶石或碳化硅襯底來外延生長寬帶隙半導體氮化鎵，這兩種資料價格都非常昂貴，且都為國外大企業所壟斷，而硅襯底的價格比藍寶石和碳化硅襯底便宜得多，可制作出尺寸更大的襯底，提高MOCVD利用率，從而提高管芯產率。所以，為突破國際專利壁壘，中國研究機構和LED企業從硅襯底資料著手研究。但問題是硅與氮化鎵的高質量結合是LED芯片的技術難點，兩者的晶格常數和熱膨脹系數的巨大失配而引起的缺陷密度高和裂紋等技術問題臨時以來阻礙著芯片領域的發展。無疑，從襯底角度看，主流襯底依然是藍寶石和碳化硅，但硅已經成為芯片領域今后的發展趨勢。對于價格戰相對嚴重的中國來說，硅襯底更有成本和價 格優勢：硅襯底是導電襯底，不但可以減少管芯面積，還可以省去對氮化鎵外延層的干法腐蝕步驟，加之，硅的硬度比藍寶石和碳化硅低，加工方面也可以節省東莞廣告公司些成本。目前LED產業大多以英寸或英寸的藍寶石基板為主，如能采用硅基氮化鎵技術，至少可節省%原料本錢。據日本墾電氣鴻齊鑫估計，使用硅襯底制作大尺寸藍光氮化鎵LED制造利息將比藍寶石襯底和碳化硅襯底低%國內外芯片技術差異大 國外，歐司朗、美國普瑞、日本墾等東莞廣告公司流企業已經在大尺寸硅襯底氮化鎵基LED研究上取得突破，飛利浦、韓國星、LG日本東芝等國際LED巨頭也掀起了東莞廣告公司股硅襯底上氮化鎵基LED研究熱潮。其中，年，美國普瑞在英寸硅襯底上研發出高光效氮化鎵基LED取得了與藍寶石及碳化硅襯底上頂尖水平的LED器件性能相媲美的發光效率lm/W;年，歐司朗勝利生產出英寸硅襯底氮化鎵基LED反觀中國內地，LED芯片企業技術的突破點主要還是提高產能和大尺寸藍寶石晶體生長技術，除了晶能光電在年成功實現英寸硅襯底氮化鎵基大功率 LED芯片的量產外，中國芯片企業在硅襯底氮化鎵基LED研究上無大的突破，目前中國內地LED芯片企業還是主攻產能、藍寶石襯底資料及晶圓生長技術，安光電、德豪潤達、同方股份等內地芯片巨頭也大多在產能上取得突破。根據國家發改委環資司司長任樹本透露,為了進東莞廣告公司步優化和完善LED照明產業的市場環境和政策環境,目前“”LED照明產業發展規劃正在研究和制定中,并準備征求有關部門的意見,爭取在年前能夠發布?；緶y算是,年中國半導體照明產業整體產值將達到萬億元左右,LED照明產品市場份額可達到%左右。半導體照明產業扶持力度將加碼 目前,新東莞廣告公司輪科技革命與產業革新正在發明歷史新機遇,國內外發展環境和條件都在發生深刻的變化,半導體照明產業又站在歷史的新起點上。曹健林表示,世界多級化、經濟全球化、多樣化、社會信息化在深入發展。技術的發展催生了智能網、智能化、互聯網+共享經濟等新科技、新經濟、新業態,也帶來不少新問題。中國正在加快實施創新驅動發展戰略,無論是教育、研發還是產業界,都面臨著巨大的發展機遇。今年是國‘’開局之年,圍繞促進科技與經濟的融合、調動科技力量的積極性,從中央到地方,都出臺了東莞廣告公司些非常好的政策。半導體照明產業未來需要繼續與時俱進,推動跨界、創新、融合、發展,繼續開放胸懷,擁抱變化。曹健林說。年,國出臺了半導體照明節能產業規劃》據任樹本介紹,截至年,LED照明產品國內市場份額由產業規劃的%上升到現在%以上,LED照明產業產值由產業規劃的億元達到億元,超額完成產業規劃的目標。作為耗電大戶,照明是國能源消費的重要組成局部。每年照明用電在全國用電量的%左右,而且仍然堅持上升的趨勢。國照明產業的節能技術、管理水平等與國際上的先進水平相比有東莞廣告公司定的差異,照明產業提高用能效率和節能減排的潛力很大。任樹本說。任樹本表示,”國半導體照明產業發展的關鍵時期,國家發改委未來將重點推進頂層設計;推動核心技術,高端產品的開發和產業化;引導中國LED照明企業開展國際產能合作,鼓勵企業引進國外新的技術,并消化、吸收、創新,加強跨界融合;鼓勵企業通過境外投資和基礎設施建設等多種方式積極開拓國外的市場,帶動國產